2013年天津大學813半導體物理考研試題（回憶版）
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2013年天津大學813半導體物理考研試題（回憶版）
1.隧道二極管的所有性質，試卷問的非常仔細，方方面面都考到了。2.深能級雜質，包括電離等性質。3.理想PN結，理想MIS。4.定義：有效質量，空穴，準費米能級，歐姆接觸，簡并半導體。（這是名詞解釋的所有題）5.應變硅異質結。6.光電池的開路電壓，短路電流，相應的圖像，最好掌握推導過程。7.如何制作硅太陽能電池和光伏探測器。（這是新題，從未出現過）8.寬禁帶半導體和窄禁帶半導體做的激光器。9.重摻雜的N AL GaAs 與GaAs相比為什么有高的遷移率。N AL GaAs書上有兩處相關概念，今年全都考到了。10.計算題算空穴濃度，就是書上的公式直接套就行，非常簡單。第二個計算題有點難度，涉及到了連續性方程，如果把書上所有的連續性方程包括解法相關性質都掌握，那這個題也是很好求的。 …… 更多內容，點擊附件下載查看。 本試題由kaoyan.com網友Ukee扣扣提供來源地址：[url=http://bbs.kaoyan.com/t4922545p1]http://bbs.kaoyan.com/t4922545p1[/url] 請點擊以下鏈接進入《2013年天津大學813半導體物理考研試題（回憶版）》下載頁面：
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