2012年上海交通大學(xué)874半導(dǎo)體物理與器件基礎(chǔ)考研試題（回憶版）
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上海交通大學(xué)2012年874半導(dǎo)體物理與器件基礎(chǔ)考研試題（回憶版）
一.半導(dǎo)體光電發(fā)光效應(yīng)基本原理及計算本征吸收限。考了三年了，充分說明半導(dǎo)體物理后面的光電磁效應(yīng)部分沒啥可以出題的了。 二.半導(dǎo)體光注入時的準(zhǔn)費(fèi)米能級計算。 三.金半接觸：首先計算半導(dǎo)體的功函數(shù)。其次，根據(jù)半導(dǎo)體功函數(shù)與鋁以及金的功函數(shù)比較，說明其形成的金半接觸是阻擋層還是反阻擋層。15分 …… 更多內(nèi)容，請下載附件查看。 本試題由kaoyan.com網(wǎng)友zhaoshuaiabc提供來源地址：[url=http://bbs.kaoyan.com/t4072762p1]http://bbs.kaoyan.com/t4072762p1[/url] 請點(diǎn)擊以下鏈接進(jìn)入《2012年上海交通大學(xué)874半導(dǎo)體物理與器件基礎(chǔ)考研試題（回憶版）》下載頁面：
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